Text
Studi pengaruh perbedaan waktu tumbuh terhadap sifat listrik dan sifat optik lapisan tipis ZnO
ABSTRAK
Endah Dwi Cahyani, 2016, “Studi Pengaruh Perbedaan Waktu Tumbuh
Terhadap Sifat Listrik dan Sifat Optik Lapisan Tipis ZnO”, Skripsi, Jakarta:
Jurusan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam,
Universitas Negeri Jakarta.
Lapisan tipis ZnO telah ditumbuhkan di atas substrat silikon (111) menggunakan
metode ultrasonic spray pyrolysis (USP) dengan memvariasikan waktu tumbuh
yaitu 10 menit, 20 menit dan 30 menit. Pengaruh waktu tumbuh terhadap lebar celah
pita energi dikarakterisasi menggunakan UV-Vis spektrofotometer dengan metode
diffuse reflectance. Pengaruh waktu tumbuh terhadap resistivitas dikarakterisasi
menggunakan four point probe. Berdasarkan hasil karakterisasi XRD lapisan tipis
ZnO memiliki struktur polikristal hexagonal wurtzite dengan preferential
orientation yaitu (101). Hasil resistivitas dari ketiga lapisan tipis ZnO yaitu (0,0814
0,0825 dan 0,0813) Ωcm dan hasil lebar celah pita energi yaitu (3,20 3,22 dan 3,21)
eV. Pada penelitian ini dapat disimpulkan bahwa nilai lebar celah pita energi
terbesar ada pada waktu tumbuh 20 menit yaitu 3,22 eV yang dimungkinkan adanya
krisnalitas yang baik pada pembentukan lapisan tipis ZnO namun hal tersebut tidak
terhadap sifat listrik yang baik. Sifat listrik dan sifat optik dipengaruhi oleh cacat
kristal alamiah pada struktur kristal lapisan tipis ZnO.
Kata kunci : Lapisan tipis ZnO, waktu tumbuh, ultrasonic spray pyrolisis (USP),
resistivitas, lebar celah pita energi. Bibliografi : lembar 47-50
SS00011138 | SK 11138 | UPT Perpustakaan UNJ | Tersedia |
Tidak tersedia versi lain