Invesgation of Annealing Effect on The Forward Bias and Leakge Current Changes of Type P-6H-SIC Schottky Diodes with SiO2 Ramp Profile after Irradiated Up to 1,75 MGY

Pencarian berdasarkan :

SEMUA Pengarang Subjek ISBN/ISSN Pencarian Spesifik

Pencarian terakhir:

Invesgation of Annealing Effect on The Forward Bias and Leakge Current Changes of Type P-6H-SIC Schottky Diodes with SiO2 Ramp Profile after Irradiated Up to 1,75 MGY

Usman Sudjadi - Nama Orang;

Tidak Tersedia Deskripsi

Ketersediaan

Tidak ada salinan data

Informasi Detail

Judul Seri: URANIA
No. Panggil: -
Penerbit: : .,
Deskripsi Fisik: 15 (1) Januari 2009 : 20-24 (RAK MATEMATIKA & IPA)
Bahasa: English
ISBN/ISSN: -
Klasifikasi: -
Tipe Isi: -
Tipe Media: -
Tipe Pembawa: -
Edisi: -
Subjek: Urania
Info Detail Spesifik: -
Pernyataan Tanggungjawab: Usman Sudjadi

Versi lain/terkait

Tidak tersedia versi lain

Lampiran Berkas

Tidak Ada Data

Komentar

Anda harus masuk sebelum memberikan komentar